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주기사명: (연구자료)고전압고밀도 수직형2중확산MOS소자(VDMOSFET)의 통로구역과 표류구역에서 전압-전류특성 해석

저자: 렴정호; 강민기

서명: 정보과학

권호: 주체94(2005)년 3호(루계15호)

발행처: 과학기술출판사

발행일자: 20050610

페이지: 45-48

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